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CYRANNUS HE

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CYRANNUS HE

Präzision für die heteroepitaktische Diamantsynthese

Speziell für das hochpräzise heteroepitaktische Diamantwachstum auf Wafern entwickelt. Essenziell für modernste Elektronik und Photonik.
 

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Maßgeschneidert für das heteroepitaktische Diamantwachstum auf Wafern

Speziell für die fortschrittliche heteroepitaktische Diamantsynthese entwickelt, ermöglicht die Herstellung hochwertiger Diamantschichten auf verschiedenen Fremdsubstraten, einschließlich Iridium (Ir) und Silizium (Si) Wafern, mit hoher Präzision und Gleichmäßigkeit. Entscheidend für Halbleiterbauelemente der nächsten Generation und spezielle optische Komponenten.

  • Hochhomogene Diamantbeschichtungen
  • Präzise Kontrolle der Schichtdicke/Eigenschaften
  • Außergewöhnliche Kristallqualität
  • Optimiert für spezifische Substrate
  • Skalierbare Produktion
     
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Diamantproduktion mit HE-Anlagen iplas
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Ihre Vorteile mit der CYRANNUS HE-Serie 

  • Hochwertige Diamantschichten: Überlegene Filme für modernste Geräte.
  • Effiziente Substratnutzung: Maximale Ausnutzung teurer Wafermaterialien.
  • Reproduzierbare Ergebnisse: Konsistente Filmeigenschaften für zuverlässige Fertigung.
  • Skalierbare Produktion: bietet Kapazität für industrielle Waferverarbeitung.
  • Maßgeschneiderte Eigenschaften: Kontrolle der Materialeigenschaften für spezifische Geräteanforderungen.


Wichtige Anwendungen von heteroepitaktischen Diamantschichten 

  • Halbleitermaterialien für Hochleistungselektronik
  • Optoelektronische Bauelemente
  • MEMS-Sensoren
  • UV-Detektoren
  • Wärmeabführende Elemente
     

Wird beispielsweise an der Universität Augsburg bei der Entwicklung neuartiger Halbleitermaterialien eingesetzt.
 

Bereit, Ihre Forschung und Produktion von heteroepitaktischem Diamant voranzutreiben?

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